平成19年4月18日開店。店主の日々の日記です。
エーーー(笑)。
昨日のアップで、おなじみさんから心配の声が・・・。
こんなネタ、アップして良いのですか?

ご心配有難う御座います。でもね、最終的には誰が作るかで決まりますので・・・・・(ヘヘ)。

さて、続きです。初段管のμに対して二段目のバイアスが浅い。要はクリップしてしまう。
エーーー、オーバードライブを狙いまして・・(ウソウソ)。

答えは簡単。間にVRが入っていますよね。全開ではクリップしますが、全開は有り得ません。
その理由は此れから書きます。

まず、出力管のEL84。



今回は三結シングルですので、下から三番目のデーターを使います。

此処で重要なのはIpとRk。此れからバイアス電圧は9,18Vと判ります。
つまりピーク値で9,18V以上の入力が入るとクリップします。
要は9,18V(あくまでもピーク値、実効値では有りませんのでお間違いの無い様に)が最大入力なんですね。

2段目のECC82のμは20。もう判りましたよね。
0,459V以上の信号が二段目に入ると、パワー管はクリップします。
ですので、ギリギリの0,459Vのバイアスでも良いんですが、若干の余裕を見て0,7Vとしたのです。

結論。VR前の真空管は入力ソース信号電圧で動作点を決める。
VR以降の真空管はパワー管から遡って動作点を決める。

この二点、結構重要なんですよ。

で、この様に設計したアンプ。非常に素直です。
早い話が配線の引き回しにも素直に反応します。

ある意味、配線技術が問われる回路でも有りますのでご用心を・・・・。




おーっと。一々前を見るのは大変でしょうから、回路図をアップして置きます。



エート、書き忘れ。
此の考え方でバイアスを選べば、300Bを振るのも簡単です。ECC82で簡単に振れます。
300Bのバイアスは60V強。
82のμは20だから3V強のバイアス設定で大丈夫です。
更に82の良い点はプレート抵抗が小さい(球の内部インピーダンスが小さい)。
結果、300Bのグリットリーク抵抗も小さく出来る(これ、大事です)。

100kΩ以上のプレート負荷抵抗の球で、300Bを振っちゃダメですよ。
有名な先生は、平気でやっていますけど(大汗)。

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