昨日調べた８１の動作。
真空管の素性を知るのには必要なデーターです。
此処から最適と思われる動作点（この場合扱う信号レベルを考慮）を選びます。
うん、この辺で良いな・・・。
で、その動作点はECC８２と比べると、結構高めのプレート電圧。
更に拙い事に、８２よりも高い内部抵抗ですので、負荷抵抗も大きく成ります。
パワー管がEL３４だったら使えたのにね・・・（と言うか必要）。
エーーー。パワー管を入れたアンプの場合は、パワー管の必要電圧を最優先で電源トランスの仕様を決めます（電流が大きいので抵抗器でのリップルフィルターは使いたくない）。
DCRの少ないチョークを使います。
で、今回のEL８４のプレート電圧は低め。
結果トランスの巻き線も低い。
さて、８１ですが内部抵抗が大きいので（８２と比べて）、負荷抵抗値も大きく成りますよね。
そう成ると、負荷抵抗での電圧ダウンも大きい。
ハイ、供給電圧がEL８４のプレート電圧よりも高い・・・・・・。
参ったなー、と言う事でもう一度ゲインの分担を計算。
８４がフルパワーを出せるスイング電圧は・・・・・。
計算上、６,７５Vでフルスイングします（バイアスが９,４５Vですから・・）。
８２のゲイン（２０）で十分だよね。
と言う事で、パワー管の前の８１を８２へ変更です。
使用上、VRの位置は上がりますが、ゲイン不足は有り得ません。
あ～あ。最初から計算をし直さなくちゃ・・・・。
今回、８１に流す電流を減らせば使えます。その場合音質が・・・・・。
NFを掛ければ平気なんですが・・・・・・。
真空管の素性を知るのには必要なデーターです。
此処から最適と思われる動作点（この場合扱う信号レベルを考慮）を選びます。
うん、この辺で良いな・・・。
で、その動作点はECC８２と比べると、結構高めのプレート電圧。
更に拙い事に、８２よりも高い内部抵抗ですので、負荷抵抗も大きく成ります。
パワー管がEL３４だったら使えたのにね・・・（と言うか必要）。
エーーー。パワー管を入れたアンプの場合は、パワー管の必要電圧を最優先で電源トランスの仕様を決めます（電流が大きいので抵抗器でのリップルフィルターは使いたくない）。
DCRの少ないチョークを使います。
で、今回のEL８４のプレート電圧は低め。
結果トランスの巻き線も低い。
さて、８１ですが内部抵抗が大きいので（８２と比べて）、負荷抵抗値も大きく成りますよね。
そう成ると、負荷抵抗での電圧ダウンも大きい。
ハイ、供給電圧がEL８４のプレート電圧よりも高い・・・・・・。
参ったなー、と言う事でもう一度ゲインの分担を計算。
８４がフルパワーを出せるスイング電圧は・・・・・。
計算上、６,７５Vでフルスイングします（バイアスが９,４５Vですから・・）。
８２のゲイン（２０）で十分だよね。
と言う事で、パワー管の前の８１を８２へ変更です。
使用上、VRの位置は上がりますが、ゲイン不足は有り得ません。
あ～あ。最初から計算をし直さなくちゃ・・・・。
今回、８１に流す電流を減らせば使えます。その場合音質が・・・・・。
NFを掛ければ平気なんですが・・・・・・。
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