部品の配置ってパズルです。あちらを立てればこちらが立たず・・。
兎に角最良の位置を探します。
この時平面(2次元)的に考えては駄目で、3次元的に考えるのですね。
大切なのは、焦ってはダメ。気に入らなければゆっくりと頭を休ませる。急いては事を仕損じる。なんて言葉はアンプ作りの為に有るのかも・・(笑)。
VRとその後の真空管との位置関係です。
市販のアンプで偶に出くわすのは、VRの位置で音量だけでなく音質迄変わってしまうアンプ。
犯人はVRから真空管(半導体)までのシールド線。
VRは位置によって出力インピーダンスが変わります。その影響を受けているんですね。
インピーダンス変動の影響を受けなくするには、VR出力側にシールド線を使わない事。
その為の近接配置なのです。この程度の距離でしたらノンシールドでもノイズを拾いません。
でも、でっかいVRですよね。
40thアンプもVRは100KΩ。一般の真空管アンプは250KΩが多いですね(酷いのに成ると1MΩだったり)。この抵抗値が高い程シールド線の影響を受けます。
ECC83で組みますと、出力インピーダンスが高く、250KΩや1MΩのVRが必要に成ります。
兎に角最良の位置を探します。
この時平面(2次元)的に考えては駄目で、3次元的に考えるのですね。
大切なのは、焦ってはダメ。気に入らなければゆっくりと頭を休ませる。急いては事を仕損じる。なんて言葉はアンプ作りの為に有るのかも・・(笑)。
VRとその後の真空管との位置関係です。
市販のアンプで偶に出くわすのは、VRの位置で音量だけでなく音質迄変わってしまうアンプ。
犯人はVRから真空管(半導体)までのシールド線。
VRは位置によって出力インピーダンスが変わります。その影響を受けているんですね。
インピーダンス変動の影響を受けなくするには、VR出力側にシールド線を使わない事。
その為の近接配置なのです。この程度の距離でしたらノンシールドでもノイズを拾いません。
でも、でっかいVRですよね。
40thアンプもVRは100KΩ。一般の真空管アンプは250KΩが多いですね(酷いのに成ると1MΩだったり)。この抵抗値が高い程シールド線の影響を受けます。
ECC83で組みますと、出力インピーダンスが高く、250KΩや1MΩのVRが必要に成ります。
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