エーーー（笑）。
昨日のアップで、おなじみさんから心配の声が・・・。
こんなネタ、アップして良いのですか？

ご心配有難う御座います。でもね、最終的には誰が作るかで決まりますので・・・・・（ヘヘ）。

さて、続きです。初段管のμに対して二段目のバイアスが浅い。要はクリップしてしまう。
エーーー、オーバードライブを狙いまして・・（ウソウソ）。

答えは簡単。間にVRが入っていますよね。全開ではクリップしますが、全開は有り得ません。
その理由は此れから書きます。

まず、出力管のEL８４。



今回は三結シングルですので、下から三番目のデーターを使います。

此処で重要なのはIpとRk。此れからバイアス電圧は９,１８Vと判ります。
つまりピーク値で９,１８V以上の入力が入るとクリップします。
要は９,１８V（あくまでもピーク値、実効値では有りませんのでお間違いの無い様に）が最大入力なんですね。

２段目のECC８２のμは２０。もう判りましたよね。
０,４５９V以上の信号が二段目に入ると、パワー管はクリップします。
ですので、ギリギリの０,４５９Vのバイアスでも良いんですが、若干の余裕を見て０,７Vとしたのです。

結論。VR前の真空管は入力ソース信号電圧で動作点を決める。
VR以降の真空管はパワー管から遡って動作点を決める。

この二点、結構重要なんですよ。

で、この様に設計したアンプ。非常に素直です。
早い話が配線の引き回しにも素直に反応します。

ある意味、配線技術が問われる回路でも有りますのでご用心を・・・・。




おーっと。一々前を見るのは大変でしょうから、回路図をアップして置きます。



エート、書き忘れ。
此の考え方でバイアスを選べば、３００Bを振るのも簡単です。ECC８２で簡単に振れます。
３００Bのバイアスは６０V強。
８２のμは２０だから３V強のバイアス設定で大丈夫です。
更に８２の良い点はプレート抵抗が小さい（球の内部インピーダンスが小さい）。
結果、３００Bのグリットリーク抵抗も小さく出来る（これ、大事です）。

１００kΩ以上のプレート負荷抵抗の球で、３００Bを振っちゃダメですよ。
有名な先生は、平気でやっていますけど（大汗）。

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